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名稱：	英諾賽科Innoscience公司 GaN氮化鎵
所屬類別：	英諾賽科 (Innoscience)
摘要：	英諾賽科Innoscience, 第三代半導體, 8英寸硅基氮化鎵晶圓, 低壓高壓（30V-650V）氮化鎵功率器件

公司簡介

8 英寸硅基氮化鎵

IDM

專利數量 500+

創立：2015 年 12 月

員工：1000+ （R&D 250+）

基地：珠海，蘇州，

深圳

產品： 30V-650V

GaN FET

珠海

產能 : 4K 晶圓 / 月

蘇州

產能 : 65K 晶圓 / 月

(2021)

英諾賽科氮化鎵平臺

市場體系

銷售

市場

氮化鎵芯片產品

FAE

低壓

(≤200伏 )

高壓

(650 伏 )

氮化鎵

射頻

8 英寸硅基氮化鎵 IDM 制造

器件設計

外延生長

制程工藝

可靠性測試

失效分析

經驗豐富的研發與產業化團隊

EPC

TSMC

MPS

UMC

SMIC

SAMSUNG

8 英寸的優勢

6 英寸

晶圓面積增加 84%

8 英寸

優勢

◆ 增加有效面積，總體成本更低 ◆ 更優質的上下游產業鏈配套

◆ 更先進的工藝技術 ◆ 更高的生產效率

IDM 模式

IDM

模式

商業模式優點

IDM 模式

◆ 集芯片設計，外延生長，芯片制造，

可靠性與失效分析等于一體的全產業

鏈生產模式

◆ 8 英寸硅基氮化鎵，產品成本

與價格具有絕對競爭優勢

◆ 完善的可靠性與失效分析平臺，實現更

快的產品迭代升級

充足的產能

珠海 (4K/ 月 )

蘇州 (65K/月 )-2021

FAB

About

this area

130m

H2 Dormitory

Office

橙框內部分

已完工 .

116m

一期

163m

二期

480m

110m

590m

設備于20年9月搬入,通線調試中 ,預計21年6月量產

珠海 8 英寸 CMOS 兼容的產線

黃光區

介質薄膜及退火區

擴散和離子注入區

蝕刻區

測量區

8 英寸 MOCVD GaN 外延

可靠性和失效分析實驗室

半自動晶圓級測試系統

全自動晶圓級測試系統

DC HTGB/HTRB

帶監控 HTGB/HTRB

HAST

THB

系統級驗證

Reflow oven

英諾賽科的優勢總結

GaN 將可能取代 Si MOSFET: 市場前景巨大 !

◆ 新的應用機會 (5G, IOT, AI, 大數據 , 智慧城市等 )

◆ 新的要求 : 更高的頻率，更小的尺寸

硅基

氮化鎵

IDM

Know-

How

經驗豐富的產業化團隊

◆ 外延

◆ 可靠性

自有

晶圓廠

◆ 器件設計

◆ 外延生長

◆ 制造

◆ 可靠性測試

◆ 失效分析

◆ 系統測試

成本優勢

◆ 自有技術專利

◆ IMEC 授權

8 英寸

制造

◆ 相比 6 英寸面積增大 84%

◆ 技術迭代，單顆芯片 die size 減小

◆ 世界上最大的 GaN-on-Si 產能計劃: ① 珠海 4K/月 ② 吳江 65K/ 月(建設中)

氮化鎵為戰略新興產業帶來新的解決方案

GaN 核心

性能優勢

高頻

開關速度快

低阻抗／面積

高頻

與硅器件

性能對比

GaN

5 倍以上優勢

GaN

10 倍以上優勢

GaN

2 倍以上優勢

GaN

2-4 倍以上優勢

典型

應用

快充

激光雷達

數據中心

應用

優勢

可大幅度減小終端

應用產品體積并大幅

提高功率轉化效率

開關速度

可提高 10 倍

功率密度提升 2 倍

節能 50%

較 LDMOS

工作頻率提高 2 倍以上

產品

◆ 產品電壓等級覆蓋 40-650V，廣泛應用于快充，激光雷達，DC-DC等領域，目前累計出貨量已超六百萬顆

WLCSP 2x2

WLCSP 2x3

WLCSP 3x5

DFN

V_ds(V)	P/N	Configuration	R_ds(on)(mΩ)_typ.	I_d(A)_cont.	Package
100	INN100W08	Single	36	4	WLCSP 2x2
	INN100W12	Single	6	16	WLCSP 5x3
	INN100L12	Single	6	16	FCLGA
	INN100W14	Single	19	7	WLCSP 3x5
650	INN650D01	Single	130	16.5	DFN 8x8
	INN650DA01	Single	130	16.5	DFN 5x6
	INN650D02	Single	200	11	DFN 8x8
	INN650D02A	Single	200	11	DFN 8x8
	INN650DA02A	Single	200	11	DFN 5x6
	INN650DA04	Single	400	5.5	DFN 5x6

650V 氮化鎵 Roadmap

Road Map

Ron (mOhm)

400

300

200

130

量產

開發中

30W

65W

300W

1kW

3kW

6.6kW

100V 氮化鎵 Roadmap

Ron (mOhm)

量產

開發中

Road Map

激光雷達

300W

750W

1kW

廣泛的應用領域

消費

工業

汽車

快充

無人機

D 類功放

數據中心

光伏

航天

自動駕駛

OBC

方案和 Demo

65W 超薄 PD Demo

65W 超小 PD Demo

100W 2C2A Demo

65W A+2C Demo

尺寸：

26mm*27mm*44mm

功率密度： 34W/in³

尺寸：

50mm*56mm*13mm

功率密度： 29W/in³

尺寸： 46mm*46mm*23mm

功率密度： 21.8W/in³

尺寸：

56mm*71mm*22.5mm

功率密度： 18W/in³

Demo 板目錄：

Demo編號	輸出功率/(接口)	拓撲
DMB001	60W/(單C)	QR flyback
DMB002	65W/(單C 超薄)	QR flyback
DMB003	65W/(A+C)	QR flyback + buck
DMB004	100W/(單C)	QR flyback
DMB005	100W/(2A+2C)	Boost PFC + QR flyback + buck
DMB006	65W/(單C 超小)	QR flyback
DMB007	200W/(2A+3C)	Boost PFC + LLC + buck
DMB008	20W/(單C)	QR flyback
DMB009	30W/(單C)	QR flyback
DMB012	120W/(單C)	Boost PFC + ACF
DMB013	200W/(LED Driver)	Boost PFC + LLC
DMB014	150W/(LED Driver)	Boost PFC + LLC
DMB015	65W/(A+2C)	QR flyback + buck

(工作日：9:00-17:30)

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